목적
반도체 미세화 공정의 대안 기술로 3D Integration 공정 기술 주목
기존의 3D Parallel 공정 기술 (TSV: Through Si Via) 대비 Power 소비 감소 및 성능 향상 특징을 갖는 3DSequential 공정의 최신 기술 동향 소개
대안 공정인 3D Parallel 기술 향후 연구 분야 및 연구 투자 필요성 환기

 

주요현황
CEA-LETI와 Qualcomm 주도의 미세화 대안 공정 기술인 Monolithic 3D Integration의 제품 적용 기술확보: CoolCubeTM
3D Integration의 Cost, Power Consumption, Performance, Thermal Issue 관점에서 TSV 대비 우수하고 Monolithic 공정으로 Circuit 및 Device의 다양한 Flexibility 가능으로 응용 범위 확대 예상

 

시사점 및 정책제안
미세화 공정 없이 성능 향상이 필요한 새로운 패러다임 공정 기술 필요
Monolithic 3D Integration에 대한 국내 연구 전무하여 이에 대한 연구 지원 필요